Parts d'excavatrice Hitachi Ex200-2 / 3/5 Capteur de commutateur de pression 4436271

Mécanisme de travail

1) Effet magnétoélectrique

Selon la loi de Faraday de l'induction électromagnétique, l'amplitude de la force électromotive induite générée dans la bobine dépend du taux de changement du flux magnétique passant par la bobine lorsque la bobine de tournage N se déplace dans le champ magnétique et coupe la ligne de force magnétique (ou le changement de flux magnétique du champ magnétique où la bobine est située).

Capteur magnétoélectrique linéaire

Le capteur magnétoélectrique mobile linéaire se compose d'un aimant permanent, d'une bobine et d'un boîtier de capteur.

Lorsque la coquille vibre avec le corps vibrant à mesurer et que la fréquence des vibrations est beaucoup plus élevée que la fréquence naturelle du capteur, car le ressort est doux et que la masse de la partie mobile est relativement grande, il est trop tard pour que la partie mobile vibre (se tenir immobile) avec le corps vibrant. À l'heure actuelle, la vitesse de mouvement relative entre l'aimant et la bobine est proche de la vitesse de vibration du vibrateur.

Type rotatif

Le fer mou, la bobine et l'aimant permanent sont fixes. L'équipement de mesure en matériau conducteur magnétique est installé sur le corps rotatif mesuré. Chaque fois qu'une dent est tournée, la résistance magnétique du circuit magnétique s'est formé entre l'engrenage de mesure et le fer doux change une fois, et le flux magnétique change également une fois. La fréquence (nombre d'impulsions) de la force électromotive induite dans la bobine est égale au produit du nombre de dents sur l'engrenage de mesure et la vitesse rotative.

Effet

Lorsqu'un semi-conducteur ou un papier métallique est placé dans un champ magnétique, lorsqu'un courant (dans la direction plane de la feuille perpendiculaire au champ magnétique) s'écoule, une force électromotive est générée dans la direction perpendiculaire au champ magnétique et au courant. Ce phénomène est appelé Effect Hall.

Élément du couloir

Les matériaux de hall couramment utilisés sont le germanium (GE), le silicium (Si), l'antimonide d'indium (INSB), l'arséniure d'indium (INAS) et ainsi de suite. Le germanium de type N est facile à fabriquer et a un bon coefficient de salle, des performances de température et de la linéarité. Le silicium de type P a la meilleure linéarité, et son coefficient de salle et ses performances de température sont les mêmes que ceux du germanium de type N, mais sa mobilité électronique est faible et sa capacité de chargement est mauvaise, donc elle n'est généralement pas utilisée comme un seul élément de salle.