Pièces d'excavatrice Hitachi EX200-2/3/5, capteur de pressostat 4436271

Mécanisme de travail

1) Effet magnétoélectrique

Selon la loi de Faraday sur l'induction électromagnétique, l'ampleur de la force électromotrice induite générée dans la bobine dépend du taux de variation du flux magnétique traversant la bobine lorsque la bobine à N tours se déplace dans le champ magnétique et coupe la ligne de force magnétique ( ou le changement de flux magnétique du champ magnétique où se trouve la bobine).

Capteur magnétoélectrique à déplacement linéaire

Le capteur magnétoélectrique à mouvement linéaire se compose d'un aimant permanent, d'une bobine et d'un boîtier de capteur.

Lorsque la coque vibre avec le corps vibrant à mesurer et que la fréquence de vibration est beaucoup plus élevée que la fréquence naturelle du capteur, parce que le ressort est mou et que la masse de la partie mobile est relativement importante, il est trop tard pour la partie mobile. vibrer (rester immobile) avec le corps vibrant. A ce moment, la vitesse de déplacement relative entre l'aimant et la bobine est proche de la vitesse de vibration du vibrateur.

Type rotatif

Le fer doux, la bobine et l'aimant permanent sont fixes. L'engrenage de mesure en matériau conducteur magnétique est installé sur le corps rotatif mesuré. Chaque fois qu'une dent tourne, la résistance magnétique du circuit magnétique formé entre l'engrenage de mesure et le fer doux change une fois, et le flux magnétique change également une fois. La fréquence (nombre d'impulsions) de la force électromotrice induite dans la bobine est égale au produit du nombre de dents de l'engrenage de mesure et de la vitesse de rotation.

Effet Hall

Lorsqu'un semi-conducteur ou une feuille métallique est placé dans un champ magnétique, lorsqu'un courant (dans la direction du plan de la feuille perpendiculaire au champ magnétique) circule, une force électromotrice est générée dans la direction perpendiculaire au champ magnétique et au courant. Ce phénomène est appelé effet Hall.

Élément de hall

Les matériaux Hall couramment utilisés sont le germanium (Ge), le silicium (Si), l'antimonide d'indium (InSb), l'arséniure d'indium (InAs), etc. Le germanium de type N est facile à fabriquer et présente un bon coefficient de Hall, de bonnes performances en température et une bonne linéarité. Le silicium de type P a la meilleure linéarité, et son coefficient de Hall et ses performances en température sont les mêmes que ceux du germanium de type N, mais sa mobilité électronique est faible et sa capacité de chargement est faible, il n'est donc généralement pas utilisé comme un seul Hall. élément.