Applicable au capteur de pression à rampe commune de carburant Passat 06E906051K

1. Procédé de réalisation d'un capteur de pression, comprenant :

L'invention concerne un substrat semi-conducteur, dans lequel une première couche diélectrique intercouche, une première couche diélectrique intercouche et une seconde couche diélectrique intercouche sont formées sur le substrat semi-conducteur.

Une plaque d'électrode inférieure dans la première couche diélectrique intercouche, une première électrode mutuelle située sur la même couche que la plaque d'électrode inférieure et espacée.

Couches de connexion ;

Former une couche sacrificielle au-dessus de la plaque polaire inférieure ;

Former une plaque d'électrode supérieure sur la première couche diélectrique intercouche, la première couche d'interconnexion et la couche sacrificielle ;

Après formation de la couche sacrificielle et avant formation de la plaque supérieure, dans la première couche d'interconnexion

former une rainure de connexion et remplir la rainure de connexion avec la plaque supérieure pour effectuer une connexion électrique avec la première couche d'interconnexion ;Ou,

Après avoir formé la plaque d'électrode supérieure, des rainures de connexion sont formées dans la plaque d'électrode supérieure et la première couche d'interconnexion, qui

Former une couche conductrice reliant la plaque d'électrode supérieure et la première couche d'interconnexion dans la rainure de connexion ;

Après avoir connecté électriquement la plaque supérieure et la première couche d'interconnexion, retirer la couche sacrificielle pour former une cavité.

2. Procédé de formation d'un capteur de pression selon la revendication 1, caractérisé en ce que dans la première couche

Le procédé de formation de la couche sacrificielle sur la couche diélectrique intercalaire comprend les étapes suivantes :

Déposer une couche de matériau sacrificiel sur la première couche diélectrique intercouche ;

Modeler la couche de matériau sacrificiel pour former une couche sacrificielle.

3. Procédé de réalisation du capteur de pression selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on utilise la photolithographie et la gravure.

La couche de matériau sacrificiel est modelée par un processus de gravure.

4. Procédé de formation d'un capteur de pression selon la revendication 3, dans lequel la couche sacrificielle

Le matériau est du carbone amorphe ou du germanium.

5. Procédé de formation d'un capteur de pression selon la revendication 4, dans lequel la couche sacrificielle

Le matériau est du carbone amorphe ;

Les gaz de gravure utilisés dans le processus de gravure de la couche de matériau sacrificiel comprennent O2, CO, N2 et Ar ;

Les paramètres dans le processus de gravure de la couche de matériau sacrificiel sont les suivants : la plage de débit d'O2 est de 18 SCCM ~ 22 SCCM et le débit de CO est de 10 %.

Le débit varie de 90 SCCM à 110 SCCM, le débit de N2 varie de 90 SCCM à 110 SCCM et le débit d'Ar.

La plage est de 90 SCCM ~ 110 SCCM, la plage de pression est de 90 mtor ~ 110 mtor et la puissance de polarisation est de

540 W ~ 660 W.